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학술대회자료
저자정보
Fortunato, E. (Department of Materials Science/CENIMAT/I3N, Faculty of Sciences and Technology, New University of Lisbon and CEMOP-UNINOVA) Pereira, L. (Department of Materials Science/CENIMAT/I3N, Faculty of Sciences and Technology, New University of Lisbon and CEMOP-UNINOVA) Barquinha, P. (Department of Materials Science/CENIMAT/I3N, Faculty of Sciences and Technology, New University of Lisbon and CEMOP-UNINOVA) Do Rego, A. Botelho (CQFM, IST, Technical University of Lisbon) Goncalves, G. (Department of Materials Science/CENIMAT/I3N, Faculty of Sciences and Technology, New University of Lisbon and CEMOP-UNINOVA) Vila, A. (Department of Electronics, University of Barcelona) Morante, J. (Department of Electronics, University of Barcelona) Martins, R. (Department of Materials Science/CENIMAT/I3N, Faculty of Sciences and Technology, New University of Lisbon and CEMOP-UNINOVA)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
1,199 - 1,202 (4page)

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High mobility bottom gate thin film transistors (TFTs) with an amorphous gallium tin zinc oxide (a-GSZO) channel layer have been produced by rf magnetron cosputtering using a gallium zinc oxide (GZO) and tin (Sn) targets. The effect of the post annealing temperatures ($200^{\circ}C$, $250^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$) was evaluated and compared with two series of TFTs produced at room temperature and $150^{\circ}C$ during the channel deposition. From the results it was observed that the effect of pos annealing is crucial for both series of TFTs either for stability as well as for improving the electrical characteristics. The a-GSZO TFTs operate in the enhancement mode (n-type), present a high saturation mobility of $24.6\;cm^2/Vs$, a subthreshold gate swing voltage of 0.38 V/decade, a turn-on voltage of -0.5 V, a threshold voltage of 4.6 V and an $I_{ON}/I_{OFF}$ ratio of $8{\times}10^7$, satisfying all the requirements to be used in active-matrix backplane.
#TFTs #oxide semiconductors #rf magnetron sputtering

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