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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, Keun-Woo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Shin, Hyun-Soo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Heo, Kon-Yi (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Kyung-Min (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Hyun-Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제10권 제4호
발행연도
2009.1
수록면
171 - 174 (4page)

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The optical and electrical properties of the amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistor ($\alpha$-IGZO TFT) were studied. When the $\alpha$-IGZO TFT was illuminated at a wavelength of 660 nm, the off-state drain current slightly increased, while below 550 nm it increased significantly. The $\alpha$-IGZO TFT was found to be extremely sensitive, with deep-level defects at approximately 2.25 eV near the midgap. After UV light illumination, a slight change occurred on the surface of the $\alpha$-IGZO films, such as in terms of the oxygen 1s spectra, resistivity, and carrier concentrations. It is believed that these results will provide information regarding the photo-induced behaviors in the $\alpha$-IGZO films.
#oxide compound #$alpha$-IGZO #TFT #photosensitivity #deep-level defects

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