메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Eugene Chong (과학기술연합대학원대학교) Yoon Soo Chun (과학기술연합대학원대학교) Seung Han Kim (과학기술연합대학원대학교) Sang Yeol Lee (과학기술연합대학원대학교)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.6 No.4
발행연도
2011.7
수록면
539 - 542 (4page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Thin-film transistors (TFTs) are fabricated using an amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) channel layer by rf-magnetron sputtering. Oxygen partial pressure significantly changed the transfer characteristics of a-IGZO TFTs. Measurements performed on а-IGZO TFT show the change of threshold voltage in the transistor channel layer and electrical properties with varying O₂ ratios. The device performance is significantly affected by adjusting the O2 ratio. This ratio is closely related with the modulation generation by reducing the localized trapping carriers and defect centers at the interface or in the channel layer.
#a-IGZO #Oxide TFT #O₂ partial pressure #Threshold voltage

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Discussion
4. Conclusion
Acknowledgment
References

참고문헌 (24)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - E. G. Chong / 2010 / / Appl. Phys. Lett 96 : 037015 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - P. Barquinha / 2006 / / J. Non-Cryst. Solids 352 : 1749 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - R. Martins / 2004 / / J. Appl. Phys 96 : 1398 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - S. H. Jeong / 2007 / / J. Korean Phys. Soc 50 : 3 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - K. W. Kim / 2010 / / Appl. Phys. Lett 96 : 083103 ~ google schola

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

열처리 분위기에 따른 IGZO의 전기적 특성 변화
김국남 한국진공학회 학술발표회초록집 2014 .02
산소분압에 따른 IGZO 박막트랜지스터의 특성변화 연구
한동석 ,  강유진 ,  박재형 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2013 .02
TFT 채널층으로 사용하기 위한 IGZO박막의 산소분압에 따른 특성변화
신주홍 ,  김지홍 ,  노지형 외 7명 한국진공학회 학술발표회초록집 2011 .08
게이트 절연체의 두께에 대한 IGZO TFT의 전기적 특성
성효성 ,  김우성 ,  김홍승 외 2명 한국마린엔지니어링학회 학술대회 논문집 2010 .10
메탈릭글래스의 미세 구조체 제작 기술 및 응용
이동우 기계저널 2018 .03

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-560-000559186