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저자정보
Lee, Keun-Woo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Shin, Hyun-Soo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Heo, Kon-Yi (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Kyung-Min (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Hyun-Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
531 - 533 (3page)

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We've studied the optical and electrical properties of amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistor (a-IGZO TFT). When the a-IGZO TFT was illuminated at a wavelength of 660 nm, the offstate drain current was slightly increased, while below 550 nm it was increased significantly. The a-IGZO TFT was extremely sensitive, with deep-level defects at approximately 2.25 eV near the midgap.
#oxide compound #a-IGZO #TFT #photosensitivity #deep-level defects

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