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학술저널
저자정보
Woo-Tae Kim (Gwangju Institute of Science and Technology) Byung-Geun Lee (Gwangju Institute of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.6
발행연도
2019.12
수록면
594 - 599 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2019.19.6.594

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This paper presents an incremental delta sigma analog to digital converter (ADC) using an extended counting technique for CMOS image sensors. A modified extended counting method is proposed to reduce the over sampling ratio (OSR) and consequently increase conversion speed without increasing the hardware complexity. To further reduce the chip size and power consumption, a self-biased amplifier is shared between the adjacent stages of the delta-sigma modulator. The proposed ADC is fabricated in a 0.18-㎛ CMOS image sensor process and occupies 0.0026 ㎟. It achieves 65 ㏈ of signal noise and distortion ratio (SNDR) for a signal bandwidth of 156.25 ㎑ with a 20 ㎒ operating clock and consumes 45 μW from a 1.8 V power supply. The measured differential nonlinearity (DNL) and integral nonlinearity (INL) are +0.49 / −0.22 and +0.61 / −0.64 LSB (least significant byte), respectively.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PROPOSED EXTENDED - COUNTING INCREMENTAL DELTA - SIGMA ADC
Ⅲ. CIRCUIT IMPLEMENTATION AND OPERATION
Ⅳ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (8)

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