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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.9
- 수록면
- 347 - 352 (6page)
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SiOC 박막의 유전상수를 서로 다른 2가지 방법을 사용하여 계산하고 그 차이점에 대하여 비교분석하였다. SiOC 박막의 유전장수는 전형적인 유전상수 측정법으로써 MIS 구조를 이용하여 C-V 측정법에 의하여 얻을 수 있으며, 또한 엘립소미터를 이용한 굴절률로부터 n²을 구하는 방법이 있다. SiOC 박막의 유전상수는 쌍극자, 이온, 전자의 성분으로 이루어지며, 댁개 쌍극자 성분은 무시된다. 박막을 증착하는 동안 플라즈마에 의한 프리커서의 해리로부터 이온결합이 생성되면서 증착된다. 증착한 박막의 유전상수는 주로 이온결합 효과가 주를 이루었다. 열처리를 하면서 OH 수산기의 기화에 의해 유전상수는 감소되는데 이때 이온의 효과도 더불어 감소하게 된다. 상대적으로 무시되었던 전자에 의한 분극의 효과가 나타나면서 유전상수는 더욱 감소하였다. 하지만 물리 화학적 그리고 전기적으로 안정된 SiOC 박막은 이온과 전자에 의한 분극의 효과가 없어지는 무 분극성의 박막으로서 유전상수는 열처리한 박막에서 2.0 정도인 것으로 측정되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (15)
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1. [학술지(정기간행물)] - 이상원 / 2009 / 전기적 특성을 고려한 ICP Source 설계 / 한국진공학회지 18 (3) : 176 ~ 185
2. [학술지(정기간행물)] - A. Grill / 2003 / / J. Appl. Phys. 94 : 6697 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Saravanapriyan Sriraman / 2002 / / IEEE Trans. Plasma Sci. IEEE Nucl. Plasma Sci. Soc. 30 : 112 ~
4. [학술지(정기간행물)] - J. Frenkel / 1938 / / Phys. Rev. 54 : 647 ~
5. [학술지(정기간행물)] - D. S. Kim / 2002 / / IEEE Trans. Plasma Sci. IEEE Nucl. Plasma Sci. Soc. 30 : 126 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Grill / 2003 / / J. Appl. Phys. 94 : 6697 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Saravanapriyan Sriraman / 2002 / / IEEE Trans. Plasma Sci. IEEE Nucl. Plasma Sci. Soc. 30 : 112 ~
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