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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.7
- 수록면
- 341 - 345 (5page)
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SiOC 박막을 산소와 bistrimethylsilylmethane 전구체의 유량비를 다르게 하여 플라즈마 발생 화학적 기상 증착방법으로 증착하였다. 증착된 SiOC박막은 Fourier transform infrared spectroscopy에 의해서 분석하였으며, 알킬기에 의한 1000 ㎝?¹ 근처에 나타나는 Si-O-C 결합의 형성되는 모양과 유전상수와의 상관성에 대하여 살펴보았다. 열처리 유전상수는 더욱 낮아졌고, BTMSM/O₂의 유량비가 증가함에 따라서 유전상수의 선형적인 상관성은 없었다. 구간별로 유전상수는 증가했다가 감소하는 경향성이 반복적으로 나타났으며, 유전상수와의 상관성은 FTIR 스펙트라 분석기에 의해서 950~1200 ㎝?¹에서 나타나는 Si-O-C 결합모드에서 찾을 수 있었다. Si-O-C 결합모양이 넓게 퍼지는 화학적 이동이 관찰되는 곳에서 유전상수는 낮아졌으며, 이러한 화학적 이동이 일어나는 샘플에서 유전상수가 1.65로 조사되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
1. [기타자료] - M. J. Kellicutt / 1993 / Physical Review B47
2. [학술지(정기간행물)] - P. W. May / 1998 / Appl. Phys / Lett 27 (2182)
3. [기타자료] - D. J. Gundlach / 1997 / IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 18
4. [기타자료] - Ioannis Kymissis / 2001 / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 48
5. [학술지(정기간행물)] - Giulia Galli / 1989 / Phys. Rev / Lett 62 (555)
2. [학술지(정기간행물)] - P. W. May / 1998 / Appl. Phys / Lett 27 (2182)
3. [기타자료] - D. J. Gundlach / 1997 / IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 18
4. [기타자료] - Ioannis Kymissis / 2001 / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 48
5. [학술지(정기간행물)] - Giulia Galli / 1989 / Phys. Rev / Lett 62 (555)
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