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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제6호
발행연도
2008.11
수록면
518 - 522 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2008

불순물을 주입한 텅스텐(W) 박막의 확산방지 특성과 박막의 물성 특성연구
김수인 ,  이창우 Applied Science and Convergence Technology 2008.11 학술저널
불순물을 주입한 텅스턴 박막의 확산방지 특성과 박막의 물성 특성연구
김수인 ,  이창우 한국진공학회 학술발표회초록집 2008.08 학술대회자료

초록· 키워드

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반도체 집적도의 비약적인 발전으로 박막은 더욱 다층화 되고 선폭은 더욱 미세화가 진행되었다. 이러한 악조건에서 소자의 집적도를 계속 향상시키기 위하여 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 소자 집적도 향상으로 금속 배선 공정에서는 선폭의 미세화와 배선 길이 증가로 인한 RC지연이 발생하게 되었다. 이를 방지하기 위하여 Al보다 비저항이 작은 Cu를 배선물질로 사용하여야 하며, 또한 일부 공정에서는 이미 사용하고 있다. 그러나 Cu를 금속배선으로 사용하기 위해 해결해야 할 가장 큰 문제점은 저온에서 쉽게 Si기판과 반응하는 문제이다. 현재까지 본 실험실에서는 tungsten (W)을 주 물질로 W-C-N (tungsten - carbon - nitrogen) 확산방지막을 증착하여 연구를 하였으며, β-ray, XRD, XPS 분석을 통하여 고온에서도 Cu의 확산을 효과적으로 방지한다는 연구 결과를 얻었다. 이 연구에서는 기존 연구에 추가적으로 W-C-N 확산방지막의 표면을 Nano-Indenter System을 이용하여 확산방지막 표면강도 변화를 분석하여 확산방지막의 물성 특성을 연구하였다. 이러한 연구를 통하여 박막내 불순물인 질소가 포함된 박막이 고온 열처리 과정에서 보다 안정적인 표면강도 변화를 나타내는 연구 결과를 얻었으며, 이로부터 박막의 물성 분석을 실시하였다.
#W-C-N 박막 #확산방지막 #Nano-Indenter System #W-C-N thin film #Diffusion barrier

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (6)

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1. [학술지(정기간행물)] - C. W. Lee / 2006 / J. Vac. Soc / Technol 24 (6) : 1432 ~ 1435 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - S. I. Kim / 2007 / J. Korean Phys / Soc 50 (2) google schola 3. [기타자료] - S. I. Kim / / J. Electroceramics (in press) google schola 4. [기타자료] - S. I. Kim / / J. Korean Phys. Soc. (in press) google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 김수인 / 2007 / Cu 금속 배선에 적용되는 질소와 탄소를 첨가한 W-C-N 확산방지막의 질소불순물 거동 연구 / 한국진공학회지 16 (5) : 348 ~ 352 dbpia

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