THE PROPERTIES OF NITROGEN IMPLANTED TUNGSTEN FILM AS Cu DIFFUSION BARRIER

Chul Soon Kwon ,  Dong Joon Kim ,  Yong Tae Kim

한국진공학회 학술발표회초록집

1995 .06

A Simple efficient N atom source for nitride MOCVD based on a dielectric barrier discharge

김태훈 ,  이지화

한국진공학회 학술발표회초록집

1997 .07

Atomic Layer Depositied Tungsten Nitride Thin Films as Diffusion Barrier for Copper Metallization

황영현 ,  이인환 ,  조병철 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .02

Tungsten Nitride Thin Film Deposition for Copper Diffusion Barrier by Using Atomic Layer Deposition

황영현 ,  조원주 ,  김영환 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2011 .08

Self-formation of Diffusion Barrier at the Interface between Cu-V Alloy and SiO₂

문대용 ,  박재형 ,  한동석 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .02

Low-temperature growth of wafer-scale MoS₂ by MOCVD

Jihun MUN ,  Chegal WON ,  Jeong Won KIM 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Diffusion barrier characteristics of molybdenum nitride films for ultra - large - scale - integrated Cu metallization (Ⅰ) ; Surface morphologies and characteristics of sputtered molybdenum nitride films

Seok-Ryong Jeon ,  You-Kee Lee ,  Jong-Wan Pa 외 1명

Journal of Korean Vacuum Science & Technology

1997 .06

Diffusion barrier characteristics of molybdenum nitride films for ultra - large - scale - integrated Cu metallization(Ⅱ) ; Effect of deposition conditions on diffusion barrier behavior of molybdenum nitride

Jeong-Youb Lee ,  You-Kee Lee ,  Seok-Ryong Jeon 외 3명

Journal of Korean Vacuum Science & Technology

1997 .06

Preparation of Metallic Cu Thin Films by MOCVD Using Novel Organometallic Cu(II) Precursors

Sun Sook Lee ,  Jung Woo Pa ,  k 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2003 .02

MOCVD 장치 개발

석창길

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .02

불순물을 주입한 텅스텐(W) 박막의 확산방지 특성과 박막의 물성 특성연구

김수인 ,  이창우

Applied Science and Convergence Technology

2008 .11

PE - MOCVD로 증착된 Hf(C,N)박막의 Cu에 대한 확산 방지 특성

노우철 ,  조용기 ,  김영석 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .02

Self-forming Barrier Process Using Cu Alloy for Cu Interconnect

문대용 ,  한동석 ,  박종완

한국진공학회 학술발표회초록집

2011 .02

Characteristics of MOCVD Cobalt on ALD Tantalum Nitride Layer Using H₂/NH₃ Gas as a Reactant

박재형 ,  한동석 ,  문대용 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .02

W-C-N 확산방지막의 전자거동(ElectroMigration) 특성과 표면 강도(Surface Hardness) 특성 연구

김수인 ,  김창성 ,  이재윤 외 8명

Applied Science and Convergence Technology

2009 .05

V-Based Self-Forming Layers as Cu Diffusion Barrier on Low-k Samples

박재형 ,  문대용 ,  한동석 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .02

Cu MOCVD에서 구리 박막 성장에 미치는 기판의 영향

김경열 ,  황의성 ,  이지화

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .02

Si₃N₄ 기판 위에 PECVD법으로 형성한 tungsten nitride 박막의 특성

배성찬 ,  이종현 ,  최시영

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .07

확산 방지막의 표면 세정이 촉매 Cu - MOCVD에 미치는 영향

김태승 ,  김재홍 ,  이지화

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02