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차세대 반도체 산업의 발전을 위하여 반도체 소자의 구조는 DRAM, FRAM, MRAM 등 여러 분야에서 다양한 연구가 진행되고 있다. 특히 이런 차세대 반도체 소자에서 금속 배선으로는 Cu가 사용되며, Cu 금속 배선을 위한 확산방지막에 대한 연구는 반드시 필요하다[1-3]. Cu 금속 배선을 위한 확산방지막에 대한 현재까지의 연구에서는 Tungsten(W)을 기반으로 Nitride(N)를 불순물로 첨가한 확산방지막에 대하여 연구되었다[4-7]. 이러한 W-N를 기반으로 본 연구에서는 물리적 기상 증착법(PVD) 방법인 RF Magnetron Sputter 방법으로 W-N 이외에 Carbon(C)과 Boron(B)을 첨가하여 확산방지막의 특성을 확인하였고, 특히 Boron Target의 power를 변화하여 W-B-C-N 확산방지막의 Boron에 의한 특성과 열적 안정성을 연구하였다[8-10]. 실험은 다양한 Boron의 조성을 가지는 확산방지막을 증착하여 β-ray와 4-point probe를 사용하여 확산방지막의 특성을 확인하였고, 고온(700 ℃~1000 ℃) 열처리한 후 X-ray Diffraction 분석을 하여 열적 안정성을 확인하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 검토
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - J. Klema / 1984 / Proceeding of 22nd Annual Int Reliability Symposium : 1 ~
2. [학술지(정기간행물)] - C. Weaver / 1975 / Adhesion of thin films / J. Vac. Sci. Tech 12 : 18 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M.Wittmer / 1988 / / J. Vac. Sci. Tech 3 : 1797 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Y. T. Kim / 1991 / / Appl. Phys. Lett 61 (5) : 537 ~
5. [학술지(정기간행물)] - C. W. Lee / 1994 / / Appl. Phys. Lett 64 : 619 ~
2. [학술지(정기간행물)] - C. Weaver / 1975 / Adhesion of thin films / J. Vac. Sci. Tech 12 : 18 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M.Wittmer / 1988 / / J. Vac. Sci. Tech 3 : 1797 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Y. T. Kim / 1991 / / Appl. Phys. Lett 61 (5) : 537 ~
5. [학술지(정기간행물)] - C. W. Lee / 1994 / / Appl. Phys. Lett 64 : 619 ~
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