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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제1호
발행연도
2009.1
수록면
30 - 36 (7page)

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투명 전자소자의 고유전 HfO₂ 절연막을 개발하기 위하여, ITO/HfO₂/ITO 금속-절연체-금속 (Metal-Insulator-Metal, MIM) 커패시터 구조를 형성한 후 HfO₂ 박막의 두께에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성의 변화를 연구하였다. HfO2 박막의 두께가 50 ㎚에서 300 ㎚로 증가함에 따라 유전상수는 20에서 10이하로 감소하였으나, HfO₂ 두께가 증가함에 따라 누설전류는 감소하여 200 ㎚ 이상의 두께에서는 2.7×10<SUP>-12</SUP> A/㎠ 이하의 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. ITO/HfO₂/ITO MIM 커패시터의 HfO₂ 박막의 두께가 50 ㎚에서 300 ㎚로 증가함에 따라 투과율은 감소하였으나 300 ㎚ 두께에서도 가시광선 영역에서 80 %이상의 투과율을 나타내어 우수한 투과도 특성을 나타내었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (22)

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