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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 9 - 14 (6page)
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본 연구는 정방정계-HfO₂/Si 초격자의 계면 층 구조를 범밀도함수론 (density functional theory)을 이용하여 계산하였다. 입방정계-HfO₂는 Si 기판과 에피택시 접합을 위하여 a와 b 축의 길이가 증가되면 c 축의 길이가 2 % 감소하여 정방정계 구조가 되었다. 정방정계-HfO₂와 Si 기판의 말단층에 따라서 8 개의 계면 층 모델이 생성되었다. 정방정계-HfO₂ (004)<SUB>1/4</SUB>/Si(004)<SUB>3/4</SUB> 초격자구조가 에너지 관점에서 가장 안정하였고, 정방정계-HfO2 (004)<SUB>1/4</SUB>/Si (002) 초격자구조는 가장 불안정하였다. 에너지 관점에서 가장 불안정한 구조의 경우, 정방정계-HfO₂의 계면에 존재하는 2 개의 산소 원자가 Si 기판으로 이동하여 정방정계-HfO₂ 초격자구조에 2 개의 산소 공공이 생성되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 계산방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (29)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - A. Kerber / 2003 / / IEEE Electron Device Lett 24 : 87 ~
2. [학술지(정기간행물)] - G. D. Wilk / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 3984 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S. Zafer / 2005 / / IEEE Trans. Device Mater. Reliab 5 : 45 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. Lim / 2005 / / J. Vac. Sci. Technol. B 23 : 201 ~
5. [학술대회논문] - H. Jin / 2006 / / 한국진공학회:학술대회 : 138 ~
2. [학술지(정기간행물)] - G. D. Wilk / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 3984 ~
3. [학술지(정기간행물)] - S. Zafer / 2005 / / IEEE Trans. Device Mater. Reliab 5 : 45 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. Lim / 2005 / / J. Vac. Sci. Technol. B 23 : 201 ~
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