Effect of Post Deposition Annealing in N₂ Ambient on Electrical Properties of Atomic Layer Deposited HfO₂ Films on Si

Soonkon Kim; Byoungdeog Choi

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Soonkon Kim (Sungkyunkwan University) Byoungdeog Choi (Sungkyunkwan University)

저널정보: 한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 2018년 한국진공학회 (제55회 하계정기학술대회 초록집)

발행연도: 2018.8

수록면: 167 - 167 (1page)

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2019

Electrical Properties of Post Deposition Annealed HfO₂ Thin Films

Soonkon Kim , Byoungdeog Choi 한국진공학회 학술발표회초록집 2019.02 학술대회자료

2018

Influence of O₂ Annealing on Electrical Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO₂ thin Films on Si Substrate

Soonkon Kim , Byoungdeog Choi 한국진공학회 학술발표회초록집 2018.08 학술대회자료

Effect of Post Deposition Annealing in N₂ Ambient on Electrical Properties of Atomic Layer Deposited HfO₂ Films on Si

Soonkon Kim , Byoungdeog Choi 한국진공학회 학술발표회초록집 2018.08 학술대회자료

Influence of O₂ Anneal on the Electrical Properties of HfO₂ thin Film on Si Substrate

Soonkon Kim , Byoungdeog Choi 한국진공학회 학술발표회초록집 2018.02 학술대회자료

Effects of N₂ Anneal on Electrical Properties of HfO₂ Film on Si Substrate

Soonkon Kim , Byoungdeog Choi 한국진공학회 학술발표회초록집 2018.02 학술대회자료

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#MOS capacitor #Si #HfO₂ #Annealing

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이 논문의 저자 정보

Soonkon Kim

소속기관 Sungkyunkwan University

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 19 이용수 207

Byoung-deog Choi

소속기관 성균관대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학 TOP 5% 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 211 이용수 9,866

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