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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
368 - 373 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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초고접적 회로의 미세화에 따라 다층배선에서 기생저항(parasitic resistance)과 정전용량의 증가는 RC 시정수(time constant)의 증가로 인하여 소자의 동작속도를 제한하고 있다. 이로 인하여 발생되는 배선지연의 문제를 해결하기 위하여 매우 낮은 유전상수를 갖는 층간 절연물질이 필요하다. 이러한 저유전상수 층간결연물질로서 현재 유기계 물질중의 하나인 a-C:F이 주목받고 있는 물질이다. 본 연구에서는 ECRCVD를 이용하여 a-C:F 박막과 Si기판사이의 밀착력을 향상시키기 위하여 a-C:H 박막을 500Å 증착한 후 a-C:F을 증착전력 500 W에서 원료가스의 유량비(C₂F_6/(C₂F_6+CH₄))를 0~1.0까지 변화시키면서 상온에서 증착하였다. a-C:F 박막의 특성은 SEM, FT-IR, XPS, C-V meter와 AFM등을 이용하여 두께, 결합상태, 유전상수, 표면형상 및 표면 거칠기를 관찰하였다. a-C:F 박막에서 불소함량은 가스 유량비가 1.0일 경우에는 최대 약 31 at.%정도 검출되었으며, 가스 유량비가 증가됨에 따라 증가하였다. 또한 유전상수는 a-C:H의 유전상수 ε=3.8에서 ε=2.35까지 감소하였다. 이는 영구 쌍극자 모멘트가 1.5인 C-H 결합은 감소하고 영구 쌍극자 모멘트가 0.6, 0.5인 CF, CF₂결합이 증가하였기 때문이다. 하지만 400℃에서 질소분위기로 1시간 동안 furnace 열처리 후에 가스유량비가 1.0인 a-C:F 박막에서 불소의 함량이 감소하여 C-F 결합이 줄어들었다. 이로 인하여 유전상수가 열처리전의 2.7에서 열처리후 3.2까지 상승하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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