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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제2호
발행연도
2008.3
수록면
117 - 121 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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탄소계열의 SiOC 박막은 화학적 증착방법으로 bistrimethylsilylmethane와 산소의 혼합개스를 사용하여 증착하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, I-V 측정법을 이용하여 비교하였다. 950~1200 ㎝<SUP>-1</SUP> 영역에서 생기는 결합들은 Si-C 결합, Si-O-C 결합과 Si-O 결합으로 이루어졌으며, SiOC 박막의 누설전류는 탄소함량이 증가함에 따라서 증가하였다. 그리고 누설전류는 Si-O-C 결합의 함량과 유사한 경향성을 나타냈다. FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 SiOC 박막이 3가지 특성이 있는 것을 확인할 수 있었으며, 접촉각은 이러한 3가지 유형에 대한 차이점을 보여주었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

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