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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제1호
발행연도
1998.2
수록면
29 - 34 (6page)

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PECVD 방법으로 증착된 비정질 실리콘(a-Si) 박막이 고상결정화되고 x-선 회절(XRD) 방법으로 조사되었다. a-Si 박막들은 기판 온도 120-380℃ 사이에서 Si(100) 웨이퍼 위에 SiH₄가스 혹은 수소희석된 SiH₄가스로 증착되고, 600℃로 가열되어 결정화되었다. 고상화 되었을 때(111), (220), (311) XRD 피크들이 나타났고 (111) 우선방위가 두드러졌다. 고상결정화된 다결정 실리콘(poly-Si) 박막들의 XRD 피크의 세기는 기판온도가 낮아짐에 따라 증가되었고, 수소희석은 고상화 효과를 감소시켰다. XRD로 측정된(111) 결정립의 평균 크기는 기판온도가 낮아짐에 따라 약 10 ㎚에서 30 ㎚로 증가하였다. 기판온도가 낮아질수록 증착속도는 증가하였으며, 결정의 크기는 증착속도와 밀접한 관계가 있었다. Si계의 구조적 무질서도가 클수록 고상화에 의한 결정립의 크기도 커지는 것으로 생각된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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