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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.6 No.1
- 발행연도
- 2002.6
- 수록면
- 46 - 50 (5page)
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C-SiC films with different content of SiC on stainless steel substrate were prepared with ion beam mixing. It was found that hydrogen concentrations in C-SiC coatings was higher than that in stainless steel after H^+ ion implantation followed by thermal annealing. Infrared (IR) transmission measurement was used to study the mechanism of hydrogen retention by C-SiC films. The vibrational features in the range between 400 and 3200 ㎝-¹ in IR transmission spectra show the Si-CH₃, Si-CH₂, Si-H, CH₂, and CH₃ bonds, which are responsible for retaining hydrogen.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References
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