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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제3호
발행연도
1997.8
수록면
275 - 281 (7page)

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평판형 유도결합 플라즈마 식각장치에 액체질소를 이용하여 웨이퍼를 -150℃까지 냉각이 가능하도록 설계된 기판을 장착하고 SF_6 단일 가스만을 이용하여 극저온 건식 식각 실험을 수행하였다. 유도결합 플라즈마 장치에서 SF_6 가스를 방전시키는 경우에는 SF_6의 음전기적(electronegative) 특성 때문에 방전이 불안정하게 된다. 본 실험에서는 20 gauss 정도의 약한 자장을 축방향으로 인가함으로써 이러한 문제를 해결하고 안정적인 방전을 얻을 수 있었다. 게이드 폴리실리콘의 식각도와 하부 열산화막에 대한 선택도를 주방전 RF 출력과 공정압력, 그리고 기판의 온도에 따라서 조사하였다. 주방전 RF 출력과 공정압력에 따른 식각특성은 Langmuir 탐침법을 이용해서 얻어진 유도결합 SF_6 플라즈마의 플라즈마 변수들의 변화로 설명할 수 있었다. 기판의 온도를 극저온까지 냉각시키는 경우의 식각 특성은 폴리실리콘과 열산화막의 식각 메카니즘의 차이로 설명되었다. 기판 온도를 -100℃로 냉각하여 식각을 하는 경우에 20 mTorr의 높은 압력에서는 높은 식각속도와 선택도를 나타내지만 완전한 비등방 식각단면이 얻어지지는 않았다. 공정압력 5 mTorr에서는 SF_6 단일 가스만으로 기판에 바이어스를 가하지 않은 상태에서 2000Å/min 이상의 폴리실리콘 식각속도와, 하부 열산화막에 대한 선댁도 10:1 이상을 확보하면서, 완전한 게이트 폴리실리콘의 비등방 식각단면에 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결과

참고문헌

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