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저널정보
한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제10회 학술발표회논문개요집
발행연도
1996.2
수록면
26 - 27 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1996

High Electron Mobility in Indium - Rich Pseudomorphic InxGa₁-xAs / InyAl₁-yAs / InP HEMT Containing a Linearly - Graded Buffer Structure Grown by MBE
홍상기 ,  이해권 ,  이재진 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 1996.02 학술대회자료
AlxGayIn1※yAs ( x + y = 0.47 ~ 8 ) Buffer Structure Design for High Electron Mobility GaInAs / AllnAs Lattice Matched HEMT
홍상기 ,  이해권 ,  이재진 외 3명 대한전자공학회 학술대회 1996.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Both high electron mobility and high carrier concentration In_(0.75)Ga_(0.25)As/In_(0.65)Al_(0.35)As heterostructure have been fabricated on InP substrate by MBE. The measured electron mobility were 10,700 ㎠/V.s at 300K and 45,000 ㎠/V.s at 77K for a 2DEG concentrations of 4.7×10¹² ㎠ and 4.5×10¹² /㎠. The high elecrton mobility and concentration were resulted from the dislocation-free, relatively thick (200Å), and high indium content (75%) channel layer. The high quality In_(0.75)Ga_(0.25)As channel layer was successfuly grown at the growth temperatur ... 전체 초록 보기

목차

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌 (0)

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