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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
341 - 347 (7page)

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MBE법에 의해 성장된 Al_xGa_(1-x)As 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠 간격에너지(E。) 값은 1.415 eV, 계면 전기장(E_i)은 1.05×10⁴V/㎝, 운반자 농도(N_s)는 1.3×10^(15) ㎝-³ 이였다. PR 상온 스펙트럼 분석에서 Eo(Al_xGa_(1-x)As) 신호 아래 A^* 피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs 보다 다소 PR 신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs 완충층의 트랩 특성시간은 약 0.086 ㎳ 정도이며, 1.42 eV 부근 두 개의 중첩된 PR 신호는 화학적 식각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs 완충층에 의해 나타나는 FKO 신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 방법

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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