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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
334 - 340 (7page)

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Molecular Beam Epitaxy(MBE)법으로 성장된 In_xGa_(1-x)As/GaAs 에피층에 대해 photoreflectance (PR)실험을 통해 특성을 조사하였다. PR 측정결과 성장된 In_xGa_(1-x)As 에피층의 띠간격 에너지(E。) 신호가 시료의 변형(strain)에 의해 heavy-hole(E。(HH))과 light-hole(E。(LH))로 분리되어 관측되었다. 에피층의 조성과 변형은 각각 시료에서의 E。(HH) 및 Eo(HH)와 Eo(LH)신호의 에너지 차이를 이용하여 구하였다. 또 160 K이하의 온도에서는 Eo(LH)의 신호가 사라짐을 볼 수 있었다. Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크로부터 계산되어진 InGaAs/GaAs 계면전장 (E)은 In 조성의 증가에 따라 0.75×10^5 V/㎝에서 2.66×10^5 V/㎝로 증가하였다. In 조성이 x=0.09인 시료에 대한 PR신호의 온도의존성 실험에서 Varshni 계수와 Bose-Einstein 계수들을 각각 구하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 이론

3. 실험

4. 결과 및 논의

5. 결론

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