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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 667 - 674 (8page)
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In this paper the gate overlap length of the LDMOST is optimized for obtaining longer device lifetime. The LDMOST device with drift region is fabricated using the 0.25 ㎛ CMOS process. The gate overlap lengths on drift region are 0.1 ㎛, 0.4 ㎛, 0.8 ㎛, and 1.1 ㎛, respectively. The breakdown voltages, on-resistances and hot-carrier degradations of the fabricated LDMOST devices are characterized. The LDMOST device with gate overlap length of 0.4 ㎛ showed the longest on-resistance lifetime, 0.02 years and breakdown voltage of 22 V and on-resistance of 23 mΩ·㎟.
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/ 1991. / New physical insights and models for high-voltage LDMOST IC CAD 38 (7) : 1641 ~
/ 1997. / Analysis of hot- carrier degradation and snapback in sub- micron 50 V lateral MOS transistors : 53 ~
/ 1998. / Suppression of substrate injection by RESURF LDMOS devices in a smart power technology for 20-30 V applications : 184 ~
/ 2001. / A Novel Hot-hole Injection Degradation Model for Lateral nDMOS Transistors : 3961 ~
/ 2001. / High-voltage drain extended MOS transistors for 0.18-μm logic CMOS process 48 : 1751 ~
/ 1997. / Analysis of hot- carrier degradation and snapback in sub- micron 50 V lateral MOS transistors : 53 ~
/ 1998. / Suppression of substrate injection by RESURF LDMOS devices in a smart power technology for 20-30 V applications : 184 ~
/ 2001. / A Novel Hot-hole Injection Degradation Model for Lateral nDMOS Transistors : 3961 ~
/ 2001. / High-voltage drain extended MOS transistors for 0.18-μm logic CMOS process 48 : 1751 ~
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