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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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외부 전계 링을 갖는 LDMOST의 항복전압 특성
한국정보통신학회논문지
2004 .12
게이트와 드리프트 영역 오버랩 길이에 따른LDMOST 전력 소자의 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2005 .01
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압 ( The Breakdown Voltage of RESURF Lateral IGBT )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
RESURF PB 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
RESURF PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현 ( Analytical Expression for the Breakdown Voltage and Optimum Lateral Dimension of the RESURF PN Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 : 제1편 : 항복전압
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
RESURF 수평형 DMOST의 최적화를 위한 새로운 모형 - 제1편 : 항복전압 ( New Model for RESURF Lateral DMOST Optimization - Part Ⅰ: Breakdown Voltage )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Smart Power IC용 RESURF EDMOSFET의 최적 설계에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
Smart Power IC용 RESURF EDMOSFETs의 제조공정과 최적설계 ( The Fabrication Process and Optimum Design of RESURF EDMOSFETs for Smart Power IC Applications )
전자공학회논문지-A
1996 .07
0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구 ( A Study on The Optimal Design of High Voltage SOI RESURF Diode )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
SIPOS를 이용한 SOI RESURF 다이오드의 항복전압 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및온-저항 특성분석
전기전자재료학회논문지
2006 .01
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
A Study on the Improvement of Breakdown voltage and Specific-On-Resistance With Metal Field Plate for RESURF EDMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
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