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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제11호
발행연도
2004.11
수록면
1 - 6 (6page)

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RFIC를 위한 Nanoscale MOSFEI에서의 유효 게이트 저항을 직접 추출법으로 추출하여 다양한 게이트 길이에 대해 분석 하였다. 추출된 유효 게이트 저항은 비교적 정확하면서 간소화된 모델을 통한 측정결과와 비교하여 10GHz 대역까지 잘 일치함을 확인하였다. 같은 공정기술로 제작된 소자들 중에서 reverse short channel 효과가 생기지 않는 긴 채널 MOSFET 소자의 경우에 일반적인 유효 게이트 저항에서와는 다른 인가전압 및 주파수 종속성을 가짐을 확인하였다. 특히, 문턱전압을 전후 하여 주파수에 따라 상이한 결과를 나타내고 있으며, 게이트 인가전압이 문턱전압에 가까울 때 비이상적으로 큰 유효 게이트 저항 값을 나타내었다. 이러한 특성은 직접추출법을 사용하는 RF MOSFET 모델링에 있어서 참고해야 할 중요한 특성이 될 것 이다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 게이트 길이에 따른 유효 게이트 저항

Ⅲ. 유효 게이트 저항의 전압 의존성

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (13)

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[학술지(정기간행물)] - S. Song / Dec.,2000 / CMOS Device Scaling Beyond 100nm google schola [학술지(정기간행물)] - H. Iwai / 2000. / CMOS Technology for RF Application 1 : 27 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - P. H. Woerlee / 2001. / RFCMOS Performance Trends 48 : 1776 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - 안정호 / 2003. / 고주파영역에서 NanoScale MOSFET의 정확한 fMAX 추출 26 : 59 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - S. F. Tin / 2000. / A simple subcircuit extension of the BSIM3v3 model for CMOS RF design 35 : 612 ~ google schola

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