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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 373 - 377 (5page)
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We have investigated the electrical characterization of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors formed on the inductively coupled plasma (ICP) etch-damaged both n- and p-type 4H-SiC. We found that there was an effect of a sacrificial oxidation treatment on the etch-damaged surfaces. Current-voltage and capacitance-voltage measurements of these MOS capacitors were used and referenced to those of prepared control samples without etch damage. It has been found that a sacrificial oxidation treatment can improve the electrical characteristics of MOS capacitors on etch-damaged 4H-SiC since the effective interface density and fixed oxide charges of etch-damaged samples have been found to increase while the breakdown field strength of the oxide decreased and the barrier height at the SiC-SiO2 interface decreased for MOS capacitors on etch-damaged surfaces.
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/ 1969. / Fowler- Nordheim tunneling into thermally grown SiO2 40 : 278 ~
/ 1995. / Si/SiO2 interface states and neutral oxide traps induced surface micro roun- ghness 77 : 1569 ~
/ 1997. / Experimetal and simulated results of SiC microwave power Mesfts a162 : 409 ~
/ 1997. / Silicon dioxide and aluminum nitride as gate dielectric for high temperature and high power silicon carbide MOSFETs
/ 1999. / Plasma che- mistries for high density plasma etching of SiC 28 : 196 ~
/ 1995. / Si/SiO2 interface states and neutral oxide traps induced surface micro roun- ghness 77 : 1569 ~
/ 1997. / Experimetal and simulated results of SiC microwave power Mesfts a162 : 409 ~
/ 1997. / Silicon dioxide and aluminum nitride as gate dielectric for high temperature and high power silicon carbide MOSFETs
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