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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.12
- 수록면
- 447 - 455 (9page)
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본 연구에서는 4H-SiC MOSFET의 주요 문제점인 SiC/SiO₂ 계면의 특성을 향상시키기 위해 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 n-based 4H-SiC MOS Capacitor를 제작하였다. 건식 산화 공정의 낮은 성장속도, 높은 계면포획 밀도와 SiO₂의 낮은 항복전계 등의 문제를 극복하기 위하여 PECVD와 NO어닐링 공정을 사용하여 MOS Capacitor를 제작하였다. 제작이 끝난 후, MOS Capacitor의 계면특성을 hi-lo C-V 측정, I-V 측정 및 SIMS를 이용해 측정하고 평가하였다. 계면의 특성을 건식 산화의 경우와 비교한 결과 20% 감소한 평탄대 전압 변화, 25% 감소한 유효 전하 밀도, 8MV/cm의 증가한 SiO₂ 항복전계 및 1.57eV의 유효 에너지 장벽 높이, 전도대 아래로 0.375~0.495eV만큼 떨어져 있는 에너지 영역에서 69.05% 감소한 계면 포획 농도를 확인함으로써 향상된 계면 및 산화막 특성을 얻을 수 있었다.
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1. [학술지(정기간행물)] - H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V Nitride, and II-VI ZnSe-based Semiconductor Device Technologies / Journal of Applied Physics 76 (3) : 1363 ~ 1398
2. [학술지(정기간행물)] - 송길용 / 2014 / Edge Termination을 위해 Tilt-Implantation을 이용한 SiC Trench Schottky Diode에 대한 연구 / 전기전자학회논문지 18 (2) : 214 ~ 219
3. [학술지(정기간행물)] - J. B. Casady / 1996 / Status of Silicon Carbide (SiC) as a Wide-Bandgap Semiconductor for High-Temperature Applications: A Review / Solid-State Electronics 39 (10) : 1409 ~ 1422
4. [학술지(정기간행물)] - K. McDonald / 2003 / Characterization and Modeling of the Nitrogen Passivation of Interface Traps in SiO2/4H-SiC / Journal of Applied Physics 93 (5) : 2719 ~ 2722
5. [학술지(정기간행물)] - V. V. Afanas’ev / 2003 / HfO2-based Insulating Stacks on 4H-SiC(0001) / Applied Physics Letters 82 (6) : 922 ~ 924
2. [학술지(정기간행물)] - 송길용 / 2014 / Edge Termination을 위해 Tilt-Implantation을 이용한 SiC Trench Schottky Diode에 대한 연구 / 전기전자학회논문지 18 (2) : 214 ~ 219
3. [학술지(정기간행물)] - J. B. Casady / 1996 / Status of Silicon Carbide (SiC) as a Wide-Bandgap Semiconductor for High-Temperature Applications: A Review / Solid-State Electronics 39 (10) : 1409 ~ 1422
4. [학술지(정기간행물)] - K. McDonald / 2003 / Characterization and Modeling of the Nitrogen Passivation of Interface Traps in SiO2/4H-SiC / Journal of Applied Physics 93 (5) : 2719 ~ 2722
5. [학술지(정기간행물)] - V. V. Afanas’ev / 2003 / HfO2-based Insulating Stacks on 4H-SiC(0001) / Applied Physics Letters 82 (6) : 922 ~ 924
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