Study on the n+ etching process in TFT-LCD Fabrication for Mo/Al/Mo Data Line

Choe, Hee-Hwan; Kim, Sang-Gab; Lim, Soon-Kwon

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Choe, Hee-Hwan (Process Development Team, LCD R&D Center, LCD Business, Samsung Electronics) Kim, Sang-Gab (Process Development Team, LCD R&D Center, LCD Business, Samsung Electronics) Lim, Soon-Kwon (Process Development Team, LCD R&D Center, LCD Business, Samsung Electronics)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04

발행연도: 2004.1

수록면: 1,111 - 1,113 (3page)

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n+ etching process is investigated in the fabrication of TFF-LCD using low resistance data line of Mo/Al/Mo. Problems of consumption of upper Mo layer and contamination of channel area are resolved. Either of HCl or $Cl_2$ can be selected as a main etchant gas, and either of $SF_6$ or $CF_4$ can be selected as an additive. Plasma treatment after n+ etching process can reduce the off-current high problem.

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이 논문의 저자 정보

Choe, Hee-Hwan

소속기관 School. of Electronic Engineering, Korea Aerospace University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 6 이용수 6

Kim, Sang-Gab

소속기관 LCD Technology Center, Samsung Electronics Co.. LTD.

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 4 이용수 5

Lim, Soon-Kwon

소속기관 LCD R & D Center, LCD Business., Samsung Electronics Co., LTD.

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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