지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 711 - 714 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were fabricated to investigate the plasma damage caused by reactive ion etching (RIE) on (100) oriented silicon-on-insulator (SOI) substrates. The thickness of the top-gate oxide, SOI, and buried oxide layers were 10 nm, 50 nm, and 100 nm, respectively. The MOS/SOI capacitors with an etch-damaged SOI layer were characterized by capacitance-voltage (C-V) measurements and compared to the sacrificial oxidation treated samples and the reference samples without etching. The measured C-V curves were compared to the numerical results from corresponding 2-dimensional (2-D) structures by using a Silvaco Atlas simulator.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
C.M. Zetterling / 1999 / UV-ozone precleaning and forming gas annealing applied to wet thermal oxidation of p-type silicon carbide / Materials Science in Semiconductor Proces
D.J. Wouters / 1989 / Characterization of front and back Si-SiO2 interfaces inthick- and thin-film silicon- on-insulator MOS structures by thecharge- pumping technique / IEEE
F.A. Ikraiam / 1998 / Modeling of SOI-MOS capacitors C-V behavior: partially-andfully-depleted cases / IEEE Trans. Electron Devices 45 (5) : 1026 ~
J.H. Lee / 1986 / Accurate technique for CV measurements on SOI structures excluding parasitic capacitance effects / IEEE Electron Device Lett 7 (9) : 537 ~
S.C. Vikavage / 1990 / An investigation of Si-SiO2 interface charges in thermally oxidized (100), (110), (111), and (511) silicon / J. Appl. Phys 68 (10) : 5262 ~
D.J. Wouters / 1989 / Characterization of front and back Si-SiO2 interfaces inthick- and thin-film silicon- on-insulator MOS structures by thecharge- pumping technique / IEEE
F.A. Ikraiam / 1998 / Modeling of SOI-MOS capacitors C-V behavior: partially-andfully-depleted cases / IEEE Trans. Electron Devices 45 (5) : 1026 ~
J.H. Lee / 1986 / Accurate technique for CV measurements on SOI structures excluding parasitic capacitance effects / IEEE Electron Device Lett 7 (9) : 537 ~
S.C. Vikavage / 1990 / An investigation of Si-SiO2 interface charges in thermally oxidized (100), (110), (111), and (511) silicon / J. Appl. Phys 68 (10) : 5262 ~
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Pseudo MOSFET을 이용한 Nano SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석
전기전자재료학회논문지
2005 .01
-
플라즈마 에칭으로 손상된 4H-실리콘 카바이드 기판위에 제작된MOS 커패시터의 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2004 .01
-
SOI MOS 소자의 제조 ( The Fabrication of SOI MOS device )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
-
The Characteristics of SOI n-MOSFET's by Bonding and Etch-Back Technology
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
-
수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .11
-
SOI 기술의 연구동향
전자공학회지
1987 .08
-
Bonded SOI wafer의 top Si과 buried oxide layer의 결함에 대한 연구
한국재료학회지
2004 .01
-
건식식각 기술 이용한 실리콘 압력센서의 특성
센서학회지
2010 .01
-
박막 MOS커패시터의 C-V 특성을 이용한 SOI 웨이퍼의 평가 ( Evaluation of SOI Wafers Using C-V Characteristics of Thin-Fillm MOS Capacitor )
대한전자공학회 워크샵
1997 .01
-
APPLICATIONS OF SOI DEVICE TECHNOLOGY
한국표면공학회지
1996 .10
-
Dependency of SOI & BOX Thickness on trap density of SOI wafers n Pseudo MOS Transistor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
SOI MOS 트랜지스터의 Substrate Floating 효과 ( Substrate Floating Effects of SOI MOS Transistors )
대한전자공학회 학술대회
1990 .07
-
박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
-
박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성 ( Crystalline and Electrical Properties of a Thin-Film SOI )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
-
PLASMA ETCHING DAMAGE에 의한 MOS TRANSISTOR 열화현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
-
플라즈마 식각 조건이 게이트 산화막의 손상에 미치는 영향 ( Effects of Plasma Etching Parameter on Gate Oxide Damage during Plasma Etching )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
플라즈마 식각 조건이 게이트 산화막의 손상에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
SOI(Silicon-on-Insulator) 소자에서 후면 Bias에 대한 전기적 특성의 의존성
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
-
SDB와 전기화학적 식각정지에 의한 마이크로 시스템용 매몰 공동을 갖는 SOI 구조의 제조
센서학회지
2002 .01
-
Plasma and Reactive Ion Etching
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0