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학술저널
저자정보
박용주 (조선대학교 신소재공학과) 이운영 (전남대학교 화학과) 최용국 (전남대학교 화학과) 이현규 (조선대학교 신소재공학과) 박진성 (조선대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제14권 제12호
발행연도
2004.1
수록면
840 - 845 (6page)

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Tin dioxide ($SnO_2$) thin films were prepared on Si(100) substrate by PE-ALD using the $DBDTA((CH_{3}CO_2)_{2}Sn[(CH_2)_{3}CH_3]_2)$ Precursor. The properties were studied as a function of source temperature, substrate temperature, and purging time. Scanning probe microscopic images at the source temperature $50^{\circ}C$ and the substrate temperature $300^{\circ}C$ shows lower roughness than those $40/60^{\circ}C$ source and $200/400^{\circ}C$ substrate temperature samples. The purging time for optimum process was 8sec and the deposition rate was about 1 nm per 10 cycles. The conductance of $SnO_2$ thin film showed a constant region in the range of $200^{\circ}C\;to\;500^{\circ}C$. The thin films deposited for 200 cycle show a better sensitivity to CO gas.
#thin films #tin oxide #ALD #surface reaction

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