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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제11권 제5호
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 222 - 225 (4page)
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The preparation of tin oxide thin films by atomic layer deposition (ALD), using a tetrakis (ethylmethylamino) tin precursor, and the effects of a seed layer on film growth were examined. The average growth rate of tin oxide films was approximately 1.2 to 1.4 A/cycle from 50℃ to 150℃. The rate rapidly decreased at the substrate temperature at 200℃.
A seed effect was not observed in the crystal growth of tin oxide. However, crystallinity and the growth of seed material were detected by XPS after thermal annealing. ALD-grown seeded tin oxide thin films, as-deposited and after thermal annealing, were characterized by X-ray diffraction, atomic force microscopy and XPS.
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C. Jin / 2005 / / Vacuum 80 : 723 ~
J. D. Ferguson / 2005 / / Powder Technol. 156 : 154 ~
J. F. Moulder / 1992 / Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy: A Reference Book of Standard Spectra for Identification and Interpretation of XPS Data / Physical Electronics Divi
J. Lu / 2003 / / J. Cryst. Growth 260 : 191 ~
J. Sundqvist / 2006 / / Thin Solid Films 514 : 63 ~
J. D. Ferguson / 2005 / / Powder Technol. 156 : 154 ~
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J. Lu / 2003 / / J. Cryst. Growth 260 : 191 ~
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