A Study on Distributions of Boron Ions Implanted by Using B and BF2 Dual Implantations in Silicon

정원채

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정원채

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제11권 제3호

발행연도: 2010.1

수록면: 120 - 125 (6page)

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For the fabrication of PMOS and integrated semiconductor devices, B, BF2 and dual elements with B and BF2 can be implanted in silicon. 15 keV B ions were implanted in silicon at 7° wafer tilt and a dose of 3.0×1016 cm-2. 67 keV BF2 ions were implanted in silicon at 7° wafer tilt and a dose of 3.0×1015 cm-2. For dual implantations, 67 keV BF2 and 15 keV B were carried out with two implantations with dose of 1.5×1015 cm-2 instead of 3.0×1015 cm-2, respectively. For the electrical activation, the implanted samples were annealed with rapid thermal annealing at 1,050°C for 30 seconds. The implanted profiles were characterized by using secondary ion mass spectrometry in order to measure profiles. The implanted and annealed results show that concentration profiles for the BF2+ implant are shallower than those for a single B+ and dual (B+ and BF2 +) implants in silicon. This effect was caused by the presence of fluorine which traps interstitial silicon and BF2 + implants have lower diffusion effect than a single and dual implantation cases. For the fabricated diodes, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) were also measured with HP curve tracer and C-V plotter. Electrical measurements showed that the dual implant had the best result in comparison with the other two cases for the turn on voltage characteristics.

#B #BF2 #F #Dual implantations #Secondary ion mass spectrometry #Computer simulation #Current-voltage #Capacitance-voltage

참고문헌 (16)

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A. Dusch / 2001 / / Mater. Sci. Eng. B 80 : 65 ~

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H. Ryssel / 1986 / Ion Implantation / Wiley : 125 ~

J. P. Biersack / 1982 / Ion Implantation Techniques / Springer-Verlag : 281 ~

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