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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제4호
- 발행연도
- 1995.1
- 수록면
- 1,087 - 1,092 (6page)
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A new method of forming shallow $P^+$-N junctions was studied by using ${BF_2}\;^{+}\;&\;_{11}B^+$ mixed ion implantaion at various mixing ratios. Mixed $P^+$ implantation enables us to control the defect profiles including the depth of A-C(amprphous-crystalline) interface, the depth density of residual dislocation loops as well as the amounts of fluorine-related cluster formation without varying the total dose of boron implanted. The residual defect density of 1.0E15 ions/$\textrm{cm}^2BF_2 \; ^+$ + 2.0E15ions/$\textrm{cm}^2\; _{11}B^+$ implanted sample was reduced about 1/3 of conventional 3.0e15ions/$\textrm{cm}^2 BF_2 \; ^+$ ion implanted one. The depth of residual defects was 13nm shallower than that of conventional $BF_2 \; ^+$ implantation with no increase in junction depth and no deterroration of electrical properties.
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