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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 128 - 131 (4page)
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Silicon carbide (SiC) has attracted significant attention for high frequency, high temperature and high power devices due to its superior properties such as the large band gap, high breakdown electric field, high saturation velocity and high thermal conductivity. We performed Al ion implantation processes on n-type 4H-SiC substrate using a SILVACO ATHENA numerical simulator. The ion implantation model used Monte-Carlo method. We simulated the effect of channeling by Al implantation in both 0 off-axis and 8 off-axis n-type 4H-SiC substrate. We have investigated the effect of varying the implantation energies and the corresponding doses on the distribution of Al in 4H-SiC. The controlled implantation energies were 40, 60, 80, 100 and 120 keV and the implantation doses varied from 2×1014 to 1×1015 cm-2. The Al ion distribution was deeper with increasing implantation energy, whereas the doping level increased with increasing dose. The effect of post-implantation annealing on the electrical properties of Al-implanted p-n junction diode were also investigated.
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C. Dutto / 2003 / Long- pluse duration excimer laser annealing of Al+ ion implanted 4H-SiC for pn junction formation / Applied Surface Science 208 : 292 ~
H. O. Olafsson / 2005 / Stable operation of high mobility 4H-SiC MOSFETs at elevated temperatures / IEEE. Eelctrons Letters 41 : 825 ~
J. Richmond / 2004 / An overview of cree silicon carbide power devices / IEEE Aerospace Conf. : 37 ~
Y. Negoro / 2004 / Electrical activation of high-concentration aluminum implantrd in 4H-SiC / J. Applied physics 96 (9) : 4916 ~
김형준 / 2000 / SiC 반도체 공정 및 소자기술 연구 현황 / 전기전자재료학회논문지 13 (3) : 9 ~
H. O. Olafsson / 2005 / Stable operation of high mobility 4H-SiC MOSFETs at elevated temperatures / IEEE. Eelctrons Letters 41 : 825 ~
J. Richmond / 2004 / An overview of cree silicon carbide power devices / IEEE Aerospace Conf. : 37 ~
Y. Negoro / 2004 / Electrical activation of high-concentration aluminum implantrd in 4H-SiC / J. Applied physics 96 (9) : 4916 ~
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