Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process: Phosphorus and Silicon Self Implants over Commonly Used Energy and Dose Range

Myung-Sik Son ,  Ho-Jung Hwang

Journal of Electrical Engineering and Information Science

1999 .06

Monte Carlo Simulation of Ion Implantation Profiles Calibrated for Various Ions over Wide Energy Range

Kunihi ,  o SUZUKI ,  Yoko TADA 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2009 .03

단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션

손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )

손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Three-Dimensional Simulation of Dopant Distribution in Silicon : Monte Carlo Approach

송재복 ,  이제희 ,  윤상호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Kinetic Monte Carlo Simulations for Defects Diffusion in Ion-implanted Crystalline

Jihyun Seo ,  Ok-Chi Hwang ,  Ohseob Kwon 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon

손명식 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

이온주입 공정을 이용한 4H-SiC p-n Diode에 관한 시뮬레이션 연구

이재상 ,  방욱 ,  김상철 외 2명

전기전자재료학회논문지

2009 .01

3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발 ( Development of Three-Dimensional Monte Carlo Ion implantation Simulator )

송재복 ,  원태영

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발

송재복 ,  원태영

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

이온빔 몬테 카를로 시물레이션 프로그램 개발 및 집속 이온빔 공정 해석

김흥배

Journal of the Korean Society for Precision Engineering

2012 .04

질소이온주입에 따른 생체안전성 티타늄 임플란트의 마모특성

최종운 ,  손선희 ,  변응선 외 1명

한국안전학회지

1999 .01

Modeling for N-MOSFET by Monte Carlo Simulation

Jun Koo Rhee ,  Min Koo Han

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1989 .01

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )

손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산

손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Monte Carlo 법을 이용한 플라즈마 내의 이온 운동 해석

이홍식 ,  황기웅

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .11

저 에너지 이온 주입의 개선을 위한 변형된 감속모드 이온 주입의 안정화 특성

박창준 ,  서용진 ,  김상용

전기전자재료학회논문지

2003 .01

단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )

손명식 ,  송영진 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Monte Carlo Simulation기법을 이용한 송전계통의 신뢰도 평가

문승필 ,  김홍식 ,  최재석 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .05