반도체용 특수가스인 BF3는 반도체 생산공정에서 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정과 화학증기증착(CVD : Chemical vapor deposition) chamber 세정공정 등에 사용되며, BF₃ 가스는 boron Ion Implant 공정에서 p-type doping을 위한 원료 등으로 사용된다. 본 연구에서는 간단한 공정으로 NaBF₄ 와 KBF₄의 열분해를 통하여 BF₃ 가스의 생산에 대해서 연구 하였다.
BF₃ gas has been used for semiconductor manufacturing process and applied in plasma etching, chemical vapor deposition, chamber cleaning processes etc,. BF₃ provides Boron and acts as a p-type doping in electrode in semiconductor. In this study, we investigate thermaldecomposition of alkali-boron complexes and suggest a simple way to produce BF₃ from NaBF₄ and KBF₄.