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자료유형
학술대회자료
저자정보
Kim, J.H. (Axcelis Technologies, Inc.) Kim, S. (Axcelis Technologies, Inc.) Ra, G.J. (Axcelis Technologies, Inc.) Reece, R.N. (Axcelis Technologies, Inc.) Bae, S.Y. (Hynix - ST Semiconductor Limited.)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
발행연도
2007.1
수록면
109 - 112 (4page)

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In this paper we describe a robust method of improving precision in monitoring high energy ion implantation processes. Ion implant energy accuracy was measured in the device manufacturing process using an unpatterned implanted layer on an intrinsic p-type silicon wafer. To increase Rs sensitivity to energy at the well implant process, a PN junction structure was formed by P-well and deep N-well implants into the p-type Si wafer. It was observed that the depletion layer formed by the PN junction was very sensitive to energy variation of the well implant. Conclusively, it can be recommended to monitor well implant processes using the Rs measurement method described herein, i.e., a PN junction diode structure since it shows excellent Rs sensitivity to variation caused by energy difference at the well implant step.

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