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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제5호
발행연도
2010.1
수록면
364 - 367 (4page)

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The dual ion-implantation trench edge termination techniques were investigated and optimized using a two-dimensional device simulator. By trenching the field ring site which would be dual implanted, a better blocking capability can be obtained. The results show that the p-n junction with dual implanted junction field-ring can accomplish nearly 20% increase of breakdown voltage in comparison with the conventional trench field-rings. The fabrication is relatively difficult. But the trench etched field ring with dual ion-implantation is surpassed for breakdown voltage and consume same area and extensive device simulations as well as qualitative analysis confirm these conclusions.
#Power device #Edge termination #Trench field ring #Dual ion-implantation

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B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishing Company : 91 ~ google schola J. S. Lee / 2009 / IEICE Electronics Express 6 / ELEX : 1621 ~ google schola Y. H. Kim / 2008 / / Proc. International Conference on Integrated Circuit Design & Technology : 71 ~ google schola

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