Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process: Phosphorus and Silicon Self Implants over Commonly Used Energy and Dose Range

Myung-Sik Son; Ho-Jung Hwang

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자료유형: 학술저널

저자정보: Myung-Sik Son Ho-Jung Hwang

저널정보: Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.4 No.3

발행연도: 1999.6

수록면: 381 - 391 (11page)

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This paper describes recently developed enhancements for modeling the damage build-up and the enhanced dechanneling process of ion motion in 3D Monte Carlo (MC) TRICSI (TRansport Ions into Crystal Silicon) computer simulation code for ion implantation into (100) silicon wafer. Our phenomenological modeling has been focused on the interdependence of dynamic channeling process and damage build-up, the electronic energy loss over commonly used energy range, and the computationally efficient 3D simulation on a wide implanted window area by comparison with 1D and 2D simulations. Our statistical and physically based model assumes the accumulation of point defects and amorphous pockets or highly disordered regions for damage grown-up, including the in situ annealing process during implantation. Our results for phosphorus- and silicon-implanted range have been verified by comparison with the published SIMS experiments over commonly used energy range from 15 to 180 keV, and dose range of up to 1 x 10^(16)/㎠. For the defect distribution, we compared the thickness of amorphized layer and the damage profile from the recent RBS experiments [S. Tian, Monte Carlo simulation of ion implantation damage process in silicon: arsenic, phosphorus. silicon, BF₂, and Boron implants, Ph. D. Thesis, The University of Texas at Austin, 1997]. By comparing to his data, we achieved reasonable agreements with RBS experiments.

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. General Information of TRICSI code

Ⅲ. Empirical Electronic Stopping Model and Parameterization for Phosphorus and Silicon Self Implants

Ⅳ. Enhancements of 3D Dynamic Damage Accumulation Model

Ⅴ. Simulation Results and Discussions

Ⅵ. Conclusions

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Myung-Sik Son

소속기관 한국정보과학회

주요연구분야 공학 > 컴퓨터학

논문수 1 이용수 19

Ho-Jung Hwang

소속기관 한국정보과학회

주요연구분야 공학 > 컴퓨터학

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