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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제7호
발행연도
2010.1
수록면
575 - 579 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2010

Selective emitter 구조와 plating으로 형성된 전극을 적용한 결정질 실리콘 태양전지에 관한 연구
김민정 ,  이재두 ,  이수홍 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2010.04 학술대회자료
Selective Emitter 구조를 적용한 Ni/Cu Plating 전극 결정질 실리콘 태양전지
김민정 ,  이재두 ,  이수홍 전기전자재료학회논문지 2010.01 학술저널

2009

결정질 실리콘 태양전지에 적용될 Light-induced plating을 이용한 Ni/Cu 전극에 관한 연구
김민정 ,  이수홍 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2009.11 학술대회자료

초록· 키워드

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The technologies of Ni/Cu plating contact is attributed to the reduced series resistance caused by a better contact conductivity of Ni with Si and the subsequent electroplating of Cu on Ni. The ability to pattern narrower grid lines for reduced light shading was combined with the lower resistance of a metal silicide contact and an improved conductivity of the plated deposit. This improves the FF (fill factor) as the series resistance is reduced. This is very much requried in the case of low concentrator solar cells in which the series resistance is one of the important and dominant parameter that affect the cell performance. A Selective emitter structure with highly dopeds regions underneath the metal contacts, is widely known to be one of the most promising high-efficiency solution in solar cell processing In this paper the formation of a selective emitter, and the nickel silicide seed layer at the front side metallization of silicon cells is considered. After generating the nickel seed layer the contacts were thickened by Cu LIP (light induced plating) and by the formation of a plated Ni/Cu two step metallization on front contacts. In fabricating a Ni/Cu plating metallization cell with a selective emitter structure it has been shown that the cell efficiency can be increased by at least 0.2%.
#Nickel #Copper #Plating #Ni silicide #Selective emitter #Solar cell

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