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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1,352 - 1,355 (4page)
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We have applied front contact metallization of plated nickel and copper for high efficiency passivated emitter rear contact(PERC) solar cell. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. The plating technique is a preferred method for commercial solar cell fabrication because it is a room temperature process with high growth rates and good morphology. In this system, the electroless plated Ni is utilized as the contact to silicon and the plated Cu serves as the primary conductor layer instead of traditional solution that are based on Ti/Pd/Ag contact system. Experimental results are shown for over 20 % PERC cells with the plated Ni/Cu contact system for good performance at low cost.
목차
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/ 1982. / Obtaining the specific contact resistance from trans- mission line model measurements : 111 ~ 3
/ 1983. / Silicides for VLSI Appli- cations
/ 1984. / Solar cell contact resistance-A review ed-31 (5) : 647 ~
/ 1995. / 실리콘 태양전지의 개발현황 8 (3) : 362 ~
/ 1998 / Spectroscopic Ellipsometry Investigation of Nickel Silicide Formation by Rapid Thermal Process : 1820 ~
/ 1983. / Silicides for VLSI Appli- cations
/ 1984. / Solar cell contact resistance-A review ed-31 (5) : 647 ~
/ 1995. / 실리콘 태양전지의 개발현황 8 (3) : 362 ~
/ 1998 / Spectroscopic Ellipsometry Investigation of Nickel Silicide Formation by Rapid Thermal Process : 1820 ~
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