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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
김민정 (세종대학교) 이재두 (세종대학교) 이수홍 (세종대학교)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2010년도 춘계학술발표대회 논문집
발행연도
2010.4
수록면
328 - 333 (6page)

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The technologies of Ni/Cu plating contact is attributed to the reduced series resistance due to better contact conductivity of Ni with Si and subsequent electroplating of Cu on Ni. The ability to pattern narrower grid lines for reduced light shading combined with the lower resistance of a metal silicide contact and improved conductivity of plated deposit. This improves the FF as the series resistance is deduced. This is very much requried in the case of low concentrator solar cells in which the series resistance is one of the important and dominant parameter that affect the cell performance. A Selective emitter structure with highly dopes regions underneath the metal contacts, is widely known to be one of the most promising high-efficiency solution in solar cell processing In this work formation of selective emitter, and the nickel silicide seed layer the front side metallization of silicon cells. After generating the nickel seed layer the contacts were thickened by Cu LIP (Light induced Plating) and formation plated Ni/Cu two step metallization on front contacts.
When fabricated Ni/Cu plating metallization cell with a selective emitter structure it has been shown that the cell efficiency can be increased by at least 0.2%.

목차

Abstract
1. 서론
2. Selective emitter 형성을 위한 예비적 고찰
3. Ni/Cu plating 전극 형성
4. 결과 및 검토
5. 결론
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