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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2004 Proceedings ISEA Asia-Pacific
발행연도
2004.10
수록면
496 - 500 (5page)

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The fabrication processes of the high efficiency silicon solar cell are too expensive and complicate to be commercialized. Evaporated Ti/Pd/Ag contact system is most widely used to make the high efficiency silicon solar cells. However, the system is not cost ef fective due to expensive materials and vacuum techniques. It is necessary to develop in expensive metallization technique without degradation of the cell performance.
In this paper, the nickel is utilized as the contact to silicon and the electroplated Cu served as the primary conductor layer. The contact resistance of nickel silicide for Nil Cu contact system was measured using the transmission line model(TLM) and compare d to that of titanium silicide for Ti/Pd/Ag contact system. Performances of the solar cell with Ni/Cu contact system were investigated by monitoring solar cell parameters as revealed by measurements of light I-V and dark I-V curves. This Ni/Cu metallization´s cherne has proven to be successful.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experiment

3. Results and Discussions

4. Conclusion

Acknowledgments

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-563-018203551