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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제4호
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 173 - 179 (7page)
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Due to the limitations of the channel length, the lateral spread for two-dimensional impurity distributions is critical for the analysis of devices including the integrated complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits and high frequency semiconductor devices. The developed codes were then compared with the two-dimensional implanted profiles measured by transmission electron microscope (TEM) as well as simulated by a commercial TSUPREM4 for verification purposes. The measured two-dimensional TEM data obtained by chemical etching-method was consistent with the results of the developed analytical model, and it seemed to be more accurate than the results attained by a commercial TSUPREM4. The developed codes can be applied on a wider energy range (1 KeV ~ 30 MeV) than a commercial TSUPREM4 of which the maximum energy range cannot exceed 1 MeV for the limited doping elements. Moreover, it is not only limited to diffusion process but also can be applied to implantation due to the sloped and nano scale structure of the mask.
목차
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/ / SRIM 2000 manual
/ 1977. / stopping power and ranges in all elements The Stopping and Ranges of Ions in Matter edited by J. F. Ziegler 6 : 64 ~
/ 1980. / Handbook of range distributions for energetics ions in all elements The Stopping and Ranges of Ions in Matter edited by J. F. Ziegler 6 : 45 ~
/ 1985. / The stopping and range of ions in matter 1 : 45 ~
/ 1988. / Basic physical aspects of high energy implantation 35 : 205 ~
/ 1977. / stopping power and ranges in all elements The Stopping and Ranges of Ions in Matter edited by J. F. Ziegler 6 : 64 ~
/ 1980. / Handbook of range distributions for energetics ions in all elements The Stopping and Ranges of Ions in Matter edited by J. F. Ziegler 6 : 45 ~
/ 1985. / The stopping and range of ions in matter 1 : 45 ~
/ 1988. / Basic physical aspects of high energy implantation 35 : 205 ~
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