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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제2호
발행연도
2013.1
수록면
94 - 100 (7page)

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The elements B, P and As can each be implanted in silicon; for the fabrication of integrated semiconductor devices and the wells in CMOS (complementary metal oxide semiconductor). The implanted range due to different implanted species calculated using TRIM (Transport of Ions in Matter) simulation results was considered. The profiles of implanted samples could be measured using SIMS (secondary ion mass spectrometry). In the comparison between the measured and simulated data, some deviations were shown in the profiles of MeV implanted silicon. The Moliere,C-Kr, and ZBL potentials were used for the range calculations, and the results showed almost no change in the MeV energy region. However, the calculations showed remarkably improved results through the modification of the electronic stopping power. The results also matched very well with SIMS data. The calculated tolerances of Rp and ΔRp between the modified Se of TRIM and SIMS data were remarkably better than the tolerances between the TRIM and SIMS data.
#B #P #As #Modification of Se #MeV implantations #Secondary ion mass spectrometry #Computer simulation

목차

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A. F. Tasch / 1996 / / Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B 112 : 177 ~ google schola H. Ryssel / 1986 / Ion Implantation / Wiley : 125 ~ google schola J. F. Gibbons / 1968 / Ion implantation in Semiconductors, Part 1, Range Distribution Theory and Experiments / Proc. IEEE, March 56 : 3 ~ 295 google schola J. Lindhard / 1961 / / Phys., Rev. 124 : 128 ~ google schola J. Lindhard / 1963 / / Mat., Fys., Medd., Dan., Vid, Selsk 33 : 14 ~ google schola

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