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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
6 - 14 (9page)

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CMOS 직접회로에서 이차원 및 삼차원적인 불순물의 분포는 소자들을 분석하는데 있어서 매우 중요하다. 화학적인 에칭방법을 사용하여 측정된 이차원적인 SEM 데이터는 붕소가 주입된 시료에 대해서 가우스모델의 결과들과 잘 일치하는 편이다. 실리콘에 붕소가 주입된 프로파일들은 가우스모델의 분포로부터 다소 다른 비대칭 구조를 나타낸다. 붕소가 주입된 실리콘에서 프로파일들은 가벼운 붕소 이온들로 부터 표면 가까이의 영역에 후방산란효과에 의해서 깊은 영역에서 다소 가파른 분포를 나타내고 있다. 해석적인 모델을 사용하여 얻어진 3-D 데이터로부터 1-D와 2-D 데이터는 실험 데이터와 서로 비교되어졌고 실험 데이터로 부터 정당성이 확립되어질 수 있었다. 3-D 모델의 데이터는 실험 및 시뮬레이션 데이터와 좋은 일치를 나타내었다. 그것은 특수한 소자나 MEMS의 해석이나 3-D chip의 디자인에 사용될 수가 있다.
#B #Implantation #Chemical etching #Simulation #SIMS #SEM #Analytical model

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