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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제9호
발행연도
2002.1
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ZnO thin films on Si wafer were deposited by RF magnetron reactive sputter with various RF power, chamber pressure, argon/oxygen gas ratios and, substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, and electrical properties of the films were investigated by XRD, AFM, RBS, and electrometer(keithley 617). ZnO films showed a strong c-axis preferred orientation. Surface roughness and resistivity were changed by the argon/oxygen gas ratio. The minimum surface roughness of 12Å and maximum resistivity of 108 Ω cm were achieved at Ar/O2=0/100.
#ZnO #Preferred orientation #Surface roughness #Resistivity #RF magnetron sputter

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