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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제10호
발행연도
2005.1
수록면
909 - 916 (8page)

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The structural and electrical property of RF magnetron sputtered ZnO thin film have been studied as a function of RF power, substrate temperature, oxygen/argon gas ratio and film thickness at constant sputtering power, sputtering working pressure and target-substrate distance. To analyze a crystallo- graphic properties of the films, θ/2θ mode X-ray diffraction, SEM, and AFM analyses. C-axis preferred orientation, resistivity and surface roughness highly depended on oxygen/argon gas ratio. The resistivity of ZnO thin film(6000 Å) rapidly increased with increasing oxygen ratio and the resistivity value of 9 * 107 Ω㎝ was obtained at a working pressure of 10 mTorr with the same oxygen/argon gas ratio. The surface roughness was also improved with increasing oxygen ratio and the ZnO films deposited with the same oxygen/argon gas ratio showed the excellent roughness value of 28.7 Å. With increase of the substrate temperature, The C-axis preferred orientation of ZnO thin film increases and the resistivity decreases due to deviation from the stoichiometric ZnO due to oxygen deficiency.
#ZnO #Preferred orientation #Roughness #Resistivity #Stoichiometric

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참고문헌 (13)

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/ 1955. / Physical Properties of Crystals : 82 ~ google schola / 1971. / Physical Electronics : 230 ~ google schola / 1973. / Acoustic Fields and Waves in Solids : 101 ~ google schola / 1975. / Digital Signal Processing : 277 ~ google schola / 1975. / Electronic Materials and Devices : 157 ~ google schola

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