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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제10호
발행연도
2002.1
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Scaled SONOS transistors have been fabricated by 0.35 ㎛ CMOS standard logic process. The thickness of stacked ONO(blocking oxide, memory nitride, tunnel oxide) gate insulators measured by TEM are 2.5 ㎚, 4.0 ㎚ and 2.4 ㎚, respectively. The SONOS memories have shown low programming voltages of ±8.5 V and long-term retention of 10-year. Even after 2×105 program/erase cycles, the leakage current of unselected transistor in the erased state was low enough that there was no error in read operation and we could distinguish the programmed state from the erased states precisely. The tight distribution of the threshold voltages in the programmed and the erased states could remove complex verifying process caused by over-erase in floating gate flash memory, which is one of the main advantages of the charge-trap type devices. A single power supply operation of 3 V and a high endurance of 1×106 cycles can be realized by the programming method for a flash-erased type EEPROM.
#SONOS #Charge trap type #Byte-erased type EEPROM #Flash-erased type EEPROM #3 V single power supply

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