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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제4호
발행연도
2008.1
수록면
300 - 304 (5page)

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A novel characterization method was investigated to estimate the trap generation during the program /erase cycles in nand flash memory cell. Utilizing Fowler-Nordheim tunneling current, floating gate potential and oxide electric field, we established a quantitative model which allows the knowledge of threshold voltage (Vth) as a function of either program or erase operation time. Based on our model, the derived results proved that interface trap density (Nit) term is only included in the program operation equation, while both Nit and oxide trap density (Not) term are included in the erase operation equation. The effectiveness of our model was tested using 50 ㎚ nand flash memory cell with floating gate type. Nit and Not were extracted through the analysis of Program/Erase speed with respect to the endurance cycle. Trap generation and cycle numbers showed the power dependency. Finally, with the measurement of the experiment concerning the variation of cell Vth with respect to program/erase cycles, we obtained the novel quantitative model which shows similar results of relationship between experimental values and extracted ones.
#Nit #Not #Trap generation #Nand flash memory #Endurance

목차

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참고문헌 (6)

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D.K. Schroder / 2006 / Semiconductor Material and Device Characterization / Wiley-Interscience : 342 ~ google schola H. Yang / 2006 / Reliability issues and models of sub-90 nm NAND flash memory cells / Solid-State and Integrated Circuit Technology : 161 ~ google schola J.D. Lee / 2004 / Effects of interface trap generation and annihilation on the data retention characteristics of Flash memory cells / IEEE Trans on Device and Materials Relia google schola N.K. Zous / 2004 / An endurance evaluation method for flash EEPROM / IEEE Trans. on Electron Devices 51 (5) : 720 ~ google schola P. Pavan / 1997 / Flash memory cells - an overview / in Proceedings of the IEEE 85 (8) : 1250 ~ google schola

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