Flash EEPROM에서 부유게이트의 도핑 농도가 소거 특성에 미치는 영향 ( Effects of the Doping Concentration of the Floating Gate on the erase Characteristics of the Flash EEPROM's )

이재호; 신봉조; 박근형; 이재봉

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이재호 신봉조 박근형 이재봉

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-D 전자공학회논문지 D편 제36권 제11호

발행연도: 1999.11

수록면: 56 - 62 (7page)

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